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工業(yè)HiPIMS沉積TiN/CrN多層涂層——超晶格結(jié)構(gòu)&硬度31.9?GPa
在工業(yè)級HiPIMS系統(tǒng)中，通過交替濺射Ti和Cr靶制備TiN/CrN多層涂層。雙層周期Λ=15?nm時形成清晰超晶格結(jié)構(gòu)，硬度達31.9?GPa（比單層CrN提高98%），彈性模量394?GPa；Λ=7?nm時獲得高H/E和H3/E2比值，抗裂耐磨性更優(yōu)
MIS-HiPIMS同步脈沖偏壓調(diào)控CrSiN納米復(fù)合薄膜——硬度20.2?GPa & 磨損率9.1×10?1??m3/N·m
采用MIS-HiPIMS技術(shù)，同步脈沖偏壓寬度從100?μs增至500?μs，離子轟擊時間延長，薄膜由疏松柱狀演變?yōu)橹旅芗{米柱狀結(jié)構(gòu)。硬度從15.6?GPa升至20.2?GPa，磨損率低至9.1×10?1??m3/N·m。
HiPIMS金屬填充工藝——納米孔洞超填充&Cu vs Co
采用HiPIMS技術(shù)結(jié)合偏壓，Cu離子分數(shù)約50%，可實現(xiàn)納米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向發(fā)散無法填充；Co雖放電功率更高，但離子到達基片分數(shù)僅34%，填充效果遠遜于Cu。再濺射與再沉積是超填充的關(guān)鍵機理
短時多脈沖HiPIMS技術(shù)&低偏壓、低應(yīng)力的DLC薄膜
DOMS（短時多脈沖HiPIMS技術(shù)）的18個連續(xù)短振蕩顯著減少了離子回吸，并利用脈沖間殘留等離子體促進再點燃，使到達基底的碳離子流密度提高至4倍，從而實現(xiàn)離子輔助沉積。